ASML High-NA EUV 光刻机商用第一家!

SK 海力士成为行业首家在工厂集成 ASML 高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机的企业，超越台积电、三星等行业巨头。

SK 海力士凭借High-NA EUV 系统集成超越台积电与三星，树立行业新标准

这家韩国存储巨头已成为全球规模最大、技术最先进的 DRAM 制造商之一，这得益于其端到端解决方案，更重要的是与英伟达的深度合作。如今，该公司成功在韩国利川 M16 晶圆厂完成 ASML 高 NA 设备的集成，成为行业首个实现这一突破的企业，不仅超越了行业龙头，也为下一代 DRAM 技术发展铺平道路。SK 海力士在官方博客中宣布这一成就，称此举将推动尖端产品的研发。

ASML High-NA EUV 产品线首款量产机型 TWINSCAN EXE:5200B，相比现有 EUV 系统，可将晶体管尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提升 2.9 倍，数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，实现 40% 的性能优化。

通过采用新系统，SK 海力士计划简化现有 EUV 工艺，加速下一代存储器研发，以提升产品性能与成本竞争力。该公司还旨在巩固其在高附加值存储产品市场的地位，强化技术领先优势。值得关注的是，此前有报告指出 SK 海力士在 DRAM 领域推进High-NA EUV 设计，计划将 DRAM 技术升级至六层 EUV 工艺，实现重大突破。业内认为，High-NA EUV 设备是突破 "层数基准" 的关键，如今 SK 海力士获得 ASML 高端设备支持，显然已为存储市场的下一轮革新做好准备。

无疑，SK 海力士已成为英伟达、AMD 等客户的核心 DRAM 供应商，并在较短时间内超越行业龙头三星。更重要的是，该公司对高 NA 设备的集成表明其技术突破不会止步 —— 它将持续提供高品质产品，并为行业带来强劲竞争。

此外，三星也将于下季度接收首台High-NA EUV 光刻设备，预计 2025 年底实现商用化。